パワー半導体用ＳｉＣエピタキシャルウェハー事業の譲受・譲渡について
−将来の市場拡大に対応した事業推進体制を構築−
昭和電工株式会社（社長：高橋 恭平、以下「昭和電工」）と有限責任事業組合エシキャット・ジャパン（代表：渡辺 純一、以下「エシキャット」）は、２００８年末までに、エシキャットが有するパワー半導体用ＳｉＣ（炭化ケイ素）エピタキシャルウェハー（注１）事業を、昭和電工が譲り受けることで合意致しました。
ＳｉＣエピタキシャルウェハーを用いた半導体は、現在主流のＳｉ（シリコン）半導体を凌ぐ性能を持ち、電力・自動車・鉄道・家電などさまざまな分野に利用されている電力変換用デバイスやインバーターモジュールへの応用が期待されています。しかしながら、高品質のＳｉＣエピタキシャルウェハーを安定的に供給できるメーカーが国内に無かったことが、ＳｉＣの特性を活かすデバイス開発や日本での産業育成の阻害要因となっていました。
エシキャットは、独立行政法人産業技術総合研究所（理事長：吉川弘之、以下「産総研」）・財団法人電力中央研究所（理事長：白 良一）・昭和電工の３者が有する独自技術および共同研究成果を活用し、パワー半導体用ＳｉＣエピタキシャルウェハーを量産・販売することを目的とし、「産総研技術移転ベンチャー」（注２）としての支援を産総研より受けて、個人組合員６名と法人組合員である昭和電工によって２００５年９月に設立され、２００６年１１月には、ＳｉＣエピタキシャルウェハーの販売を開始しました。その後、継続的な品質向上と新規グレードの開発に取り組み、現在では、２インチ、３インチ並びに４インチサイズのウェハーについて、世界最高水準の均一性と低欠陥化を実現し、お客様のご要望にお応えしています。
昭和電工およびエシキャットでは、パワー半導体用ＳｉＣエピタキシャルウェハー市場の今後の拡大を促進するとともに、事業規模の拡大のためには、昭和電工がエシキャットの事業を譲り受けて推進することが望ましいと判断し、今般の合意に至りました。
昭和電工では、将来の当社を牽引する新製品の研究開発を推進中であり、半導体デバイス市場などの６分野を戦略的市場単位（ＳＭＵ＝Ｓｔｒａｔｅｇｉｃ Ｍａｒｋｅｔ Ｕｎｉｔ）と定めて集中的に経営資源を投入し、パワー半導体用ＳｉＣエピタキシャルウェハーは、その中心的テーマとして取り組んでおります。
エシキャットは２００８年１２月８日と９日の２日間、大田区産業プラザ（東京都大田区蒲田１−２０−２０）において、応用物理学会ＳｉＣ 及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会主催の「ＳｉＣ及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会」第１７回講演会の併設企業展示会に出展致します。
以 上
（注１）ＳｉＣエピタキシャルウェハー：ＳｉＣバルクウェハーの表面上に薄膜の単結晶ＳｉＣ層を成長させたもの。
（注２）産総研技術移転ベンチャー：
産業技術総合研究所は、産総研ベンチャー技術移転促進措置実施規程に基づき、同研究所において得られた研究成果を活用するベンチャー企業に対して「産総研技術移転ベンチャー」の称号を付与し、知的財産、施設等の使用や情報提供等において様々な支援を行っている。エシキャット・ジャパンは、２００５年度に登録された「産総研技術移転ベンチャー」１９社のうちの１社である。
＊参考画像あり。